MMBFJ175LT1G دیتاشیت

MMBFJ175LT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBFJ175LT1G
حجم فایل 92.76 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

دانلود دیتاشیت MMBFJ175LT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/JFETs
  • FET Type: P-Channel
  • Datasheet: onsemi MMBFJ175LT1G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 11pF@10V
  • Total Device Dissipation (Pd): 225mW
  • Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0): 7mA@15V
  • Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS): 30V
  • Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID): 3V@10nA
  • Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)): 125Ω
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMBFJ1
  • detail: JFET

محصولات مشابه